Какие операции над вспышкой (NOR/NAND) влияют на циклы программы Flash /Erase(P/E)

Question

Я хочу использовать счетчик, который может сохранять значения с помощью циклов питания, поэтому я должен использовать флэш-память (у меня есть возможность выбрать NOR или NAND), но значения моего счетчика будут часто увеличиваться. Я хочу оптимизировать количество стираний (учитывая только стирание, т. Е. Создание битов от 0 до 1 будет влиять на продолжительность жизни вспышки).

Для этого я хочу реализовать счетчик тиков, в котором последовательность байтов (около килобайта, зависит от максимального значения моего счетчика, обычно равного размеру блока), выделенного счетчику для каждого последующего приращения битов, будет установлена ​​в 1 к 0, начиная с MSB. Я напишу собственный флэш-драйвер, чтобы позаботиться о счетчике операций

Пример:

Val0: 1111 1111 1111 1111.... Val1: 0111 1111 1111 1111.... Val2: 0011 1111 1111 1111.... Преимущества счетчик тиков:

Стирание требуется только тогда, когда мы хотим сделать счетчик равным нулю.

Но возможно ли программировать бит от 1 до 0 без стирания (NAND/NOR), если да, будет ли это влиять на количество циклов P/E?

Answer 1

Это зависит от части. Я видел некоторые части флэш-памяти NOR, которые поддерживают перезапись одной ячейки до четырех раз перед удалением. Превышение возможности перезаписи может повредить ячейку. Я видел детали флэш-памяти NAND, где производитель требует, чтобы страница была написана только один раз перед удалением. Я видел некоторые старые NAND и NOR флеш части, где это не было указано. Лучше всего проверить вашу таблицу данных.