Как я могу рассчитать потенциальное выражение в этом диоде?
Рассмотрим диод на рисунке 4.37. Лист акцепторов с поверхностной плотностью QA помещается во внутреннюю область GaAs так, чтобы он находился на расстоянии L1 от одной области n + и L2 от другой.
(а) Вычислите выражение для потенциала поперек структуры в терминах QA, L1, L2,ND и других параметров материала GaAs.
Меня смущает, как это могло сформировать потенциал, если нет противоположных носителей?